BUSINESS
ALD/CVD PRECURSORS
ALD/CVD Precursor
반도체 분야에의 프리커서는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정 중 박막을 증착하기 위한 용도로 사용되는 유기금속물질이다.
대표적으로 ALD/CVD 장비를 사용하여 박막을 형성시키며, 이것을 위한 유기금속물질을 ALD/CVD PRECURSORS라 한다.
Precursors in the semiconductor field are organic metal materials used to deposit thin films during the process of manufacturing
semiconductor devices. Typically, ALD/CVD equipment is used to form thin films, and the organic metal materials used for this
are called ALD/CVD PRECURSORS.
- Product List
| ALD/CVD PRECURSOR | Chemical formula | V.P. at T | |
|---|---|---|---|
| Al2O3 | TMA | Al(CH3)3 | 8.7 torr at 20 ℃ |
| HfO2 | TEMAHf | Hf[(C2H5)(CH3)N]4 | 1.2 torr at 60 ℃ |
| HfCl4 | HfCl4 | 1 torr at 190 ℃ | |
| ZrO2 | TEMAHZr | Zr[(C2H5)(CH3)N]4 | 1 torr at 70 ℃ |
| ZrCl4 | ZrCl4 | 1 torr at 186 ℃ | |
| TiN | TiCl4 | TiCl4 | 10 torr at 20 ℃ |
| TDMAT | Ti[N(CH3)2]4 | 1 torr at 60 ℃ | |
| TaN | TaCl5 | TaCl5 | 1 torr at 111 ℃ |
그외 DEZ, DMCd, TEA, DMA, Mo(CO)6, Mg(EtCp)2, NaHMDS, etc.
- ALD/CVD Process
- ALD/CVD의 Mechanism
-
CVD(Chemical Vapor Deposition)
-
ALD(Atomic Layer Deposition)
